München und Shenzhen, China – 20. September 2023 – Leistungshalbleiter basierend auf Siliziumkarbid (SiC) zeichnen sich durch eine Reihe von Vorteilen aus, wie hohe Effizienz, hohe Leistungsdichte, Spannungsfestigkeit und Zuverlässigkeit. Durch diese Merkmale eröffnen sich zahlreiche Möglichkeiten für neue Anwendungen und verbesserte Innovationen in der Ladestationstechnologie. Die Infineon Technologies AG arbeitet nun mit Infypower zusammen, einem chinesischen Marktführer im Bereich der Ladestationen für New Energy Vehicles. Im Rahmen der Zusammenarbeit wird Infineon INFY mit den branchenführenden 1200 V CoolSiC™ MOSFET-Leistungshalbleitern beliefern, die den Wirkungsgrad von Ladestationen für Elektroautos deutlich verbessern.